中国半导体功率器件领路人 中国科学院院士陈星弼传略【2025|PDF下载-Epub版本|mobi电子书|kindle百度云盘下载】

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院士传略2

三岁入学2

一个有名的父亲3

难儿的幼年故事6

一路躲避日机轰炸7

沸腾的青春10

桐油灯下抄课本12

想成为爱因斯坦那样的人13

去吧，兄弟啊15

不会演戏，就当灯控师18

重回上海，英语差一截儿21

上同济之前23

凡是伟大的东西都想学习25

对好老师“莫名其妙地非常崇拜”27

激进的团员同志28

工作和爱情30

迷上半导体31

第一篇论文34

小纸片教案37

没有“头衔”的技术权威39

硅靶摄像管42

风雨交加44

新方程，神来之笔46

50岁乐当学生48

你是个好学生51

“邂逅”功率器件54

忍痛放弃“我的梦”59

筹建微电子所62

高分通过博士点申请66

第二次电子革命的突破口69

教学生真学问73

科研与教学，哪个更重要76

把一生都献给祖国78

执子之手，与子偕老82

淡泊真善85

耄耋之年，永不放弃87

在科学的道路上89

师恩难忘106

我们的大专家小学弟106

陈星弼院士纵横谈108

陈老师为我们“开小灶”113

陈老师教会我的117

往事121

严谨治学的好师长——忆陈星弼院士二三事128

北京校友的贺信130

献身社会 体验生命价值131

长留情愫暖心问134

真正的“师者”136

师者如父138

业精于勤 业精于专140

难忘的半导体器件物理课142

珍惜时光144

从小事做起146

师恩难忘148

你知道蒋梦麟吗150

严师大爱152

我心中的陈老师155

我帮老师修电脑158

点滴笔墨谢恩师160

难在不易处162

学一点传统文化164

贺陈星弼老师八十华诞167

无题169

论文集锦172

关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题172

Optimum Doping Profile of Power MOSFET Epitaxial Layer187

BEST UNIFORM SURFACE DO PING IN THE DRIFT REGION OF OFFSET-GATE POWER MOSFET'S WITH DEEP JUNCTIONS190

Optimization of the Drift Region of Power MOSFET's with Lateral Structures and Deep Junctions193

A Theory of Floating Filed-Limiting Rings Regarding the Effect of Surface Charges200

THEORY OF OPTIMUM DESIGN OF REVERSE-BIASED p-n JUNCTIONS USING RESISTIVE FIELD PLATES AND VARIATION LATERAL DOPING207

Lateral high-voltage devices using an optimized variational lateral doping213

An Analytical Model for Electric Field Distribution of Positively Beveled Abrupt PN Junctions224

Theory of a Novel Voltage Sustaining(CB)Layer for Power Devices229

Optimum Design Parameters for Different Patterns of CB-Structure235

Optimization of the Specific On-Resistance of the COOLMOSTM241

Theory of the Switching Response of CBMOST246

Optimum VLD makes SPIC Better and Cheaper252

New"silicon limit"of power devices257

发明专利266

国外发明专利266

国内发明专利277

附录285

中国科学院院士陈星弼获奖目录285

中国科学院院士陈星弼主要著作和论文目录291

中国科学院院士陈星弼大事记301

后记303